英特爾發表 25 奈米快閃記憶體

美光科技與英特爾在週一發布其合作研發的 NAND 快閃記憶體技術的細節，例如可讓智慧型手機、個人娛樂裝置與固態硬碟的儲存空間增大。

根據美光科技與英特爾的說法，25 奈米快閃記憶體技術是市場上最小的裝置；而且這個快閃記憶體是由雙方在 4 年前合資的 IM 快閃技術公司 (IMFT) 負責生產製造。

該公司是以 25 奈米製程生產出一顆擁有 8GB 儲存空間的 NAND 單一裝置，該裝置的儲存空間是 CD 的 10 倍，但體積卻小到可以穿過 CD 中間的洞口。

這代表使用 25 奈米快閃記憶體的裝置將能在不增加產品體積的狀況下擴大儲存容量，例如 256GB 的固態硬體只須要 32 個新的 NAND 裝置即可，而非以往的 64 個。

英特爾與美光表示，其希望每 18 個月就提升一次 NAND 快閃記憶體的密度。而 IMFT 自 2006 年即開始設法生產 50 奈米技術，目前已可做到 34 奈米製程。 IMFT 計畫在今年第二季推出 25 奈米、 8GB 的裝置。

IMFT 的客戶之一日立 (Hitachi) 表示將在搭配固態硬碟的伺服器、工作站與儲存設備等產品裡面使用 25 奈米快閃記憶體技術；而且上述產品將在今 (10) 年推出。而且上述產品還將內附 SCSI 與光纖通路接口。

日立在 2003 年買下當時位居硬碟裝置市場第三大的 IBM 儲存事業部，第一、二名則分別是希捷與 WD 。