Eileen Shen
英特爾 (Intel) 於舊金山舉辦的記者會上，討論 32 奈米 (nm) 製程與進度所設立的全新里程碑，以生產未來世代的產品。稍早於華盛頓特區，英特爾總裁暨執行長歐德寧 (Paul Otellini) 表示，英特爾正於美國進行有史以來規模最大的單一製程投資，將美國境內的先進製造設施再升級，採用新一代 32 奈米晶片製程技術。英特爾於 2009 至 2010 年間，將投入約 70 億美元於 32 奈米製程技術上，總計美國境內 32 奈米之投資總金額，在該期間內將達到約 80 億美元。
於舊金山記者會上所發表之產品發展時程如下：
首度展示可運作32 奈米微處理器：
─英特爾展示第一顆可運作於筆記型電腦及桌上型電腦之 32 奈米微處理器。
─優異的 32 奈米製程和產品的健全發展使英特爾得以加速推動生產 32 奈米產品。
─Westmere 筆記型電腦和桌上型電腦處理器將於 2009 年第四季量產。
─32 奈米可提升效能和增加功耗調整彈性。
─隨著 32 奈米製程量產化，以 Westmere 為基礎的英特爾筆記型電腦、桌上型電腦及伺服器處理器將逐一量產。
對客戶而言，Westmere 將Nehalem 技術導入英特爾主流處理器產品系列
· 提升效能且縮小處理器核心面積
· 新多晶片封裝技術並於處理器中內建繪圖功能
· 重新配置 (repartitioned) 的系統架構，可簡化主機板設計
· 持續量產 – 32 奈米製程可望在 2010 年導入伺服器市場
Westmere主要功能
· Intel Turbo Boost 技術
· Intel 超執行緒技術 ( Hyper-Threading technology)（雙核心， 4 執行緒)
· 內建繪圖功能，獨立/ 可切換繪圖支援功能
· 4MB 快取記憶體，內建繪圖控制器 (I ntegrated Memory Controller) – 雙通道 DDR3
· AES 指令
邁入第二代high-k + 金屬閘極電晶體的32奈米製程時代
身為整合型元件製造領導者，英特爾以 2 年為一週期，持續推出全新世代的先進製程技術。英特爾業已開發出具領導業界之 32 奈米邏輯技術：
• 第二代 high-k + 金屬閘極電晶體
• 32 奈米代表英特爾首度在重要晶體層採用浸潤式微影技術 ( immersion lithography)
• 9 層銅 + low-k 內部連結層 (interconnect layers )
• 尺寸約為 45 奈米產品的 70%
• 無鉛和無鹵素封裝