英飛凌與美光合作開發下一代 SIM 卡

林蔚文2008-11-061min0
英飛凌科技與美光科技宣佈一項共同開發容量高達128MB以上高密度SIM卡的策略性技術合作方案。

英飛凌科技與美光科技宣佈一項共同開發容量高達 128MB 以上高密度 SIM 卡的策略性技術合作方案。

採用高密度 HD SIM 卡不但可提升電信業者的處理效能,更能提供更高容量儲存與更佳品質的服務。結合高密度與安全性功能,讓電信業者能推出更多圖像化、附加價值更高的服務,例如行動銀行與非接觸式行動購票等。此外,電信業者也可確保手機透過無線網路直接更新或刪除應用程式,以及在任何時間下載新的應用、服務或設定至 HD-SIM 卡,以維持快速的產品面市時程。然而功能的提升也意味著 SIM 卡的儲存解決方案也必須跟著升級,以更快的運算和通信速度,以及更高的儲存容量,以滿足這些應用程式的需求。

為了因應上述需求,英飛凌和美光將共同開發一項創新的高密度 SIM 卡解決方案。兩家公司透過技術上的緊密合作,運用彼此的領域專長,結合英飛凌的安全微控制器與美光專為 HD-SIM 應用而設計的創新 NAND 快閃記憶體,設計出模組化晶片。美光亦將採 50 奈米與 34 奈米製程技術製造該 NAND 記憶體。這項合作開發的成果將應用於 HD-SIM 卡,一舉將 SIM 卡容量上推至 128MB 以上,並且提供了多項新功能,包括:

  • 密度:串接的 NAND 快閃記憶體提供 128MB 以上容量 HD-SIM 卡最具成本效益的解決方案。
  • ECC(錯誤校正碼)電路:內建於美光 NAND 快閃記憶體 ,得以免除來自 HD-SIM 微控制器資料錯誤校正的影響,簡化整體安全設計。
  • 優越的電源管理功能 (Superior Power Management):設計符合 ETSI (歐洲電信標準協會) 規範,英飛凌/美光合作開發的 HD-SIM 解決方案,其操作電壓範圍從 1.8V 到 3.3V,並且符合 ETSI 建議的低操作電流規範。
  • 易於轉移:該安全微控制器的概念包括優化與具成本效益封裝解決方案,可輕易在 NOR 與 NAND 技術之間切換轉移,因其採用相容的應用程式協定介面 (API) ,以及相關軟體堆疊。專為現有 SIM 卡設計的作業系統,亦能輕易被重複使用。

英飛凌科技晶片卡與安全事業群副總裁暨總經理 Dr. Helmut Gassel 博士表示,英飛凌為未來的 SIM 卡發展找到了新定位:不僅能作為儲存大量的影音內容之用,甚至可望取代快閃記憶卡。英飛凌致力於開發規格更為完整的 HD-SIM 卡產品系列組合,容量涵蓋從數 MB 到 2GB,提供客戶所需各個等級的效能與安全性需求。

產品原型預計在  2009 年秋季問世,將採用裸晶片或經濟型晶片卡 IC 封裝形式銷售。

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