恆憶與海力士共同開發 NAND 快閃記憶體產品市場

恆憶 (Numonyx) 與海力士 (Hynix Semiconductor Inc.) 宣佈簽署為期五年的協議,將針對成長迅速的 NAND 快閃記憶體市場,共同合作開發計劃。

恆憶 (Numonyx) 與海力士 (Hynix Semiconductor Inc.) 宣佈簽署為期五年的協議,將針對成長迅速的 NAND 快閃記憶體市場,共同合作開發計劃。雙方將擴充 NAND 產品線,並促成未來產品和技術的創新,以因應五年內NAND所將面臨的技術挑戰。

依新簽署的合約,恆憶與 海力士將拓展合作開發範疇,以推出領先業界的 NAND 記憶體技術和產品,並且將雙方的資源整合,以加速開發未來的 NAND 技術和解決方案。此外,雙方也將共同開發用於行動電話多晶片封裝的行動 DRAM。

海力士董事長暨執行長 Jong-Kap Kim 表示,為了在快速演進的半導體產業致勝,必須運用雙方最佳資源,共同面對技術問題,而非只單獨減低風險就能達成。未來的共同技術開發,將成為雙方合作的重要成功因素,也期盼能夠透過產品、軟體和控制器等方面的系統化共同開發,致力推出新產品。恆憶與海力士將共同開發出採用先進技術的完整系列產品,使雙方在 NAND 市場得以勝出。恆憶與海力士的合作將成為全球的 NAND 設計社群裡屬一屬二的全能團隊,期盼在今後能持續開發全新的 NAND 記憶體解決方案,持續既有優勢。

恆憶總裁暨執行長 Brian Harrison 表示,未來 五年在 NAND 領域的成功和發展,需要獨特的能力,恆憶期許與海力士攜手實現這樣的願景。結合恆憶的專業人力資源、工程設計,與海力士對於成本效益的高度專注,相信必能獲得尖端的技術、符合成本效益且可擴充的製造能力、領先業界的記憶體系統專業,以及使系統層級 NAND 解決方案迅速上市的經驗。透過與海力士互補的專業技術,勢必能強化恆憶在無線通訊 NAND領域的優勢。

由於技術層面不斷改變,製造 NAND 記憶體的過程日益複雜,甚至轉變為愈來愈精密的微影技術量產節點,一般預期電荷擷取裝置 (Charge-Trap device) NAND 將取代目前主流的浮動閘 (Floating Gate) NAND 技術,而恆憶在 NOR 快閃記憶體技術的經驗,理當成為此一演進趨勢的主要推手。另外,在未來五年,供應商需要更深入瞭解裝置的物理性能和整體系統層級解決方案,才能克服所面臨的挑戰。

有效運用恆憶的軟體專業技術,不但有助廠商達成上述要求,並對市場滲透產生正面影響,得以提高 microSD、eMMC 和 SSD 等整合式 NAND 解決方案的市佔率。恆憶與海力士的合作將帶來重大的整合綜效,而恆憶在解決非揮發性記憶體挑戰方面已累積40年的歷史,及在開發韌體、微控制器和其他系統解決方面的豐富的經驗。這些因素都將在NAND從原始晶片向系統的轉變中產生關鍵作用。

除了在 NAND 方面的共同合作外,雙方更擬於中國無錫合作投資生產 300 mm 低功耗行動 DRAM 的生產計劃。雙方將多晶片封裝非揮發性記憶體堆疊的行動 DRAM,應用於行動裝置解決方案中。這項行動 DRAM 的結盟,將有助兩家公司推出更具成本效益且低功耗的多晶片記憶體子系統,以供具有小型設備需求的客戶使用。海力士在 4 月推出全球最快速的 1 Gb LPDDR2 產品後,在產品密度、技術領先地位、效能,以及適合單一晶片解決方案的 SDR/DDR 介面相容性等方面,已然成為行動 DRAM 產品的領導廠商。

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