林蔚文
安森美半導體 (ON Semiconductor) 宣佈擴充高性能片外靜電放電 (ESD) 保護產品系列，推出兩款業界一流的元件「ESD7L5.0D」和「NUP4212」。這些新產品以安森美半導體專有的整合 ESD 保護平台設計，在提高定位電壓性能的同時，還能保持低電容和小巧的 die size 。
ESD7L5.0D 採用極小的 1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723 封裝技術，保護擁有線路 0.5 pF 電容的兩條高速數據線路。將安森美半導體的低電容技術整合至三針腳封裝為設計人員提供以單個元件保護 USB2.0 端口 D+和 D-線路的解決方案。 ESD7L5.0D 也能夠連接陰極至陰極，保護 0.25 pF 電容的一條雙向線路，非常適用於保護高頻射頻 (RF) 天線線路。
NUP4212 採用小巧的 1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6 封裝，保護每條線路 0.7 pF 的 4 條高速數據線路和 2 條 Vcc 電源線路。設計工程師能夠運用單個整合元件保護兩個 USB 端口上的 D+和 D-線路及 Vcc 線路。
這兩款新元件的主要特點，都來自安森美半導體領先業界的專有技術。 ESD7L5.0D 和 NUP4212 能夠將 15 千伏 (kV) 的輸入 ESD 波形在數納秒 (ns) 內鉗位低於 7 伏 (V)，為當今對 ESD 敏感的 IC 提供最高水準的保護。例如聚合物和陶瓷壓敏電阻等其他低電容片外 ESD 保護技術也提供低電容，但它們的 ESD 定位電壓遠高於安森美半導體的解決方案。此外，安森美半導體矽元件沒有無源技術的磨損問題，就算經過 ESD 這樣的電壓突波後，還能維持可靠性和性能。
安森美半導體標準產品部全球市場行銷副總裁麥滿權說，安森美半導體推出針對高速數據應用的超低電容產品，擴大在高性能 ESD 保護解決方案的市場版圖。新一代可攜式應用裝置必須具有更高的性能和更大的設計靈活性。
ESD7L5.0DT5G 採用 SOT-723 封裝，每 8,000 顆的批量單價為 0.20 美元。 NUP4212 採用 UDFN-6 封裝，每 3,000 顆的批量單價為 0.608 美元。
採用這個技術平台的第一款產品 ESD9L5.0S 以技術、應用和設計創新方面的進步而榮獲美國《Electronic Products》雜誌以及中國《今日電子》雜誌頒發”2007 年度產品” 獎。