TI發表DDR3 暫存器

德州儀器 (TI) 今天發表業界首款量產、具有鎖相迴路 (PLL)的DDR3暫存器,該元件為針對附帶暫存器的雙線記憶體模組 (RDIMMs) 所設計,並且可透過固定的時脈以及輸出延遲來消除對電壓與溫度變化的影響,使系統更具穩定性。

德州儀器 (TI) 今天發表業界首款量產、具有鎖相迴路 (PLL)的DDR3暫存器,該元件為針對附帶暫存器的雙線記憶體模組 (RDIMMs) 所設計,並且可透過固定的時脈以及輸出延遲來消除對電壓與溫度變化的影響,使系統更具穩定性。該單晶片四排 (quad rank) 的設計可更節省電路板上的整體空間,同時能降低伺服器、工作站以及儲存裝置的耗電量。

SN74SSQE32882 28至56位元暫存緩衝器的操作電壓為1.5 V,並支援同位檢查的功能以確保其可靠性。該晶片可支援由800Mbps 到 1333 Mbps的高資料傳輸率,以提供客戶在設計上的彈性,而且單一模組可支援高達72個 DRAM。

其它的主要功能如下 :

  • 時脈致能 (CKE) 省電模式
  • 控制模式的暫存器
  • 輸出驅動器的強度控制
  • 操作頻率為300 – 670 MHz

SN74SSQE32882超越了「美國電子工程設計發展聯合協會」(Joint Electron Device Engineering Council)在溫度與電壓穩定性上所規定的要求,是高效能伺服器系統在可靠性上的保證。

TI表示,很榮幸能率先推出市面上首款合格且具有完全相容性的DDR3暫存器,透過與領先業界的產業夥伴們之合作,TI推出了SN74SSQE32882,以滿足並且超越了在DDR3系統上嚴苛的效能要求以及穩定性要求。

易於設計的DDR解決方案

TI的DDR3暫存器使得原本在業界領先的DDR2暫存器以及PLL元件之產品組合更加完整,如 CDCUA877 及SN74SSTUB32866。此外,TPS51116及TPS51100 DC/DC控制器可顯著地減少DDR系統在電源管理上所需要的外部零件。

供應時程

採用176錫球MicroStar BGA封裝的SN74SSQE32882即日起開始供應,每千顆採購量的建議零售單價為 5.9美元。

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