NXP 針對 L 波段雷達應用推出 RF 輸出功率元件

恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其業界領先的 RF Power 電晶體產品線，近日推出最新的針對 L 波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱 LDMOS) 電晶體，該電晶體在 1.2GHz 到 1.4GHz 的頻率之間提供高達 500W 的突破性的 RF 輸出功率。

針對大範圍的 L 波段雷達應用，恩智浦的 LDMOS L 波段 RF 功率電晶體設置了新的效率標準（漏極效率大於 50%）、增益（17dB）和達 500W 的耐用度。

恩智浦半導體 RF 功率產品線全球產品市場經理 Mark Murphy 表示，身為第一家推出 L 波段和 S 波段應用的 LDMOS 的公司，恩智浦高效能的 LDMOS RF 功率電晶體產品線建立了一個嶄新的業界標準，為客戶提供市場上表現最優異和最耐用的電晶體。將 RF 輸出功率提高至 500W 的技術突破，是恩智浦內部傾力合作、貼近客戶需求的結果，使 NXP 推出易於導入設計並縮短上市時間的電晶體產品。

恩智浦 L 波段 RF 電晶體 (BLL6H1214-500) 的主要表現參數包括：

• 500W 峰值輸出功率（在 1.4GHz,100µs 脈衝寬度，25% 占空比時）
• 17dB 增益
• 50% 漏極效率
• 更佳的耐用度
• 能夠承受高達 5dB 的過驅動能力
• 更佳脈衝偏差值（低於 0.2dB）
• 供電電壓 50V
• 無毒封裝、符合 ROHS 標準

恩智浦的此款元件結合了雙極管的功率密度和適用於 L 波段雷達設計的 LDMOS 技術優勢，其環保的陶瓷封裝，可與 BeO 封裝互相替代。