林蔚文
Spansion 日前宣布擴大與中芯國際目前的合作協議，在生產 65nmMirrorBit NOR 產品的基礎上，增加以 300mm 晶圓為基礎的 43nm Spansion MirrorBit ORNAND2 快閃記憶體。藉由中芯國際世界级的專業製造技術，Spansion 將為其嵌入式和無線快閃記憶體客戶提供更具成本優勢的差異化產品線。此項合作的具體條款尚未透露。
Spansion 執行長暨總裁 Bertrand Cambou 表示，Spansion 與中芯國際關於生產業界領先的 MirrorBit 產品的補充協議，是一項重要策略行動，旨在提升 Spansion 為客戶提供更加豐富的解決方案的能力。同時，與中芯國際關係的日漸深化有助於擴大 Spansion 在中國大陸的影響，而中國大陸是全球增長速度最快的快閃記憶體市場之一。
MirrorBit ORNAND2 快閃記憶體是 Spansion 旗下 MirrorBit ORNAND 系列的下一代產品，以更加多元化的高附加價值解決方案擴展了公司現有的產品線。憑藉公司專有的 MirrorBit 電荷捕獲技術，以及按 NAND 陣列架構連接的儲存單元，Spansion MirrorBit ORNAND2 旨在為更高速的寫入性能和更廣泛的容量提供完美支援。
Spansion 專有的 MirrorBit 技術是公司各種領先產品的技術基礎，這些產品包括 MirrorBit ORNAND2 、 MirrorBit NOR 、 MirrorBit Eclipse 以及 Spansion EcoRAM 。隨著 Spansion MirrorBit 技術的成功轉讓，中芯國際將大幅提升 65nm MirrorBit Eclipse 和 Spansion EcoRAM 兩種產品的產量。經過十多年的廣泛研究、積極開發和商業成功之後，Spansion MirrorBit 技術的效率在全新的 MirrorBit ORNAND2 技術上得以充分利用，其所需的遮罩層 (masking layers) 與 MirrorBit NOR 技術相比可減少 25%，同時能提供較浮動閘門 NAND 解決方案更為出眾的品質。由於浮動閘門 NAND 快閃記憶體技術面臨日益嚴峻的升級挑戰，Spansion 憑藉在電荷捕獲技術領域的豐富經驗而擁有獨一無二的優勢，能夠以領先的技術節點提供極具競爭力的解決方案。
中芯國際總裁暨執行長張汝京表示，透過以領先的節點技術生產 Spansion MirrorBit 技術產品，中芯國際能夠優化晶圓廠的使用率。藉由與 Spansion 的密切合作，中芯國際將進一步鞏固公司在快閃記憶體生產領域的領先地位，進而提升公司在高附加價值市場的市佔率。
Spansion 43nm MirrorBit ORNAND2 技術的開發已經在其位於美國加州桑尼維爾市的亞微米開發中心（SDC）順利完成，Spansion 計畫將其轉移至中芯國際設在中國武漢的 300mm 晶圓廠。在此同時，Spansion 計畫在 2009 年大幅提升其 SP1 旗艦級 300mm 晶圓廠的 45nm Spansion EcoRAM 、 MirrorBit NOR 和 Eclipse 解決方案的產量。 Spansion 預計將在 SDC 中完成用於 MirrorBit ORNAND2 、 MirrorBit Eclipse 和 Spansion EcoRAM 的 32nm MirrorBit 技術的開發工作，並於 2010 年投入量產。
深化與中芯國際的合作關係是 Spansion 拓展策略聯盟的策略中的一項關鍵要素。 Spansion 計畫將其資本投資集中在加速開發領先的 MirrorBit 快閃記憶體技術、開發高附加價值、高利潤的解決方案，以及擴大其位於日本會津若松、產業領先水準的 300mm SP1 快閃記憶體製造廠。